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首页 全部分类 FDP55N06 vs STP60NF06

FDP55N06备选型号: STP60NF06

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  • 元素配置
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  • 场效应管类型
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
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  • 雪崩能量等级（Eas）
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 制造商包装标识符
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 通道数量
  • 双电源电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDP55N06
    ON Semiconductor
    MOSFET SINGLE N-CH 150V ULTRAFET TRENCH
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    55A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET™
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    22mOhm
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    114W
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    22m Ω @ 27.5A, 10V
    4V @ 250μA
    1510pF @ 25V
    37nC @ 10V
    130ns
    ±25V
    95 ns
    55A
    2V
    TO-220AB
    25V
    60V
    220A
    480 mJ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP60NF06
    STMicroelectronics
    STP60NF06 N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V STripFET II, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    SILICON
    60A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    STripFET™ II
    -
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    16mOhm
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    16m Ω @ 30A, 10V
    4V @ 250μA
    1660pF @ 25V
    73nC @ 10V
    108ns
    ±20V
    20 ns
    60A
    4V
    TO-220AB
    20V
    60V
    240A
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    TO-220-POA
    60V
    60A
    STP60N
    3
    1
    60V
    175°C
    19.68mm
    10.4mm
    4.6mm
    无
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