ON Semiconductor FDP55N06

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

5 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

55A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

114W Tc

Turn Off Delay Time

70 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

UniFET™

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

22mOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

114W

接通延迟时间

30 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

22m Ω @ 27.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1510pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

37nC @ 10V

上升时间

130ns

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

95 ns

连续放电电流(ID)

55A

阈值电压

2V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

220A

雪崩能量等级（Eas）

480 mJ

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅