FDP5800备选型号: AUIRF1010Z

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  • 晶体管元件材料
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  • JESD-609代码
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  • 电阻
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  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 额定电流
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  • 资历状况
  • 电压
  • 元素配置
  • 电流
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 14A TO-220
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    11 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    4.535924g
    SILICON
    14A Ta 80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    6MOhm
    Tin (Sn)
    60V
    未说明
    14A
    未说明
    不合格
    60V
    Single
    81A
    增强型MOSFET
    242W
    18 ns
    N-Channel
    6m Ω @ 80A, 10V
    2.5V @ 250μA
    9160pF @ 15V
    145nC @ 10V
    19ns
    ±20V
    9 ns
    80A
    2.5V
    20V
    60V
    652 mJ
    15.7mm
    9.9mm
    4.5mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    INFINEON AUIRF1010Z MOSFET Transistor, N Channel, 75 A, 55 V, 5.8 mohm, 10 V, 2 V
    -
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    SILICON
    75A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2010
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    -
    -
    260
    -
    30
    -
    -
    Single
    -
    增强型MOSFET
    140W
    18 ns
    N-Channel
    7.5m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 250μA
    2840pF @ 25V
    95nC @ 10V
    150ns
    -
    92 ns
    94A
    2V
    20V
    55V
    -
    16.51mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    Tin
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    DRAIN
    SWITCHING
    75A
    0.0075Ohm
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