ON Semiconductor FDP5800

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

11 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

14A Ta 80A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

242W Tc

Turn Off Delay Time

55 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

PowerTrench®

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

6MOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

60V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

14A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

电压

60V

元素配置

Single

电流

81A

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

242W

接通延迟时间

18 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

6m Ω @ 80A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9160pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

145nC @ 10V

上升时间

19ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

9 ns

连续放电电流(ID)

80A

阈值电压

2.5V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

60V

雪崩能量等级（Eas）

652 mJ

高度

15.7mm

长度

9.9mm

宽度

4.5mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅