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首页 全部分类 FDP8030L vs STP150N3LLH6

FDP8030L备选型号: STP150N3LLH6

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电阻
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 箱体转运
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    FDP8030L
    ON Semiconductor
    MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    10 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    80A Ta
    -65°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    30V
    80A
    Single
    增强型MOSFET
    187W
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.5m Ω @ 80A, 10V
    2V @ 250μA
    10500pF @ 15V
    170nC @ 5V
    185ns
    ±20V
    200 ns
    80A
    1.5V
    TO-220AB
    20V
    30V
    1.5 V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP150N3LLH6
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 30V 80A TO220
    -
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    -
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    e3
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    3.3m Ω @ 40A, 10V
    2.5V @ 250μA
    4040pF @ 25V
    40nC @ 4.5V
    18ns
    ±20V
    46 ns
    80A
    -
    TO-220AB
    20V
    30V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3.3MOhm
    未说明
    not_compliant
    未说明
    STP150
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    DRAIN
    320A
    525 mJ
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