注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥41.2837
10
¥38.946883
100
¥36.742346
500
¥34.66259
1000
¥32.700552
ON Semiconductor FDP8030L
- 收藏
- 对比
FDP8030L
1807-FDP8030L
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
立即发货

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDP8030L详情
ON Semiconductor FDP8030L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
10 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
质量
1.8g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
80A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
187W Tc
Turn Off Delay Time
160 ns
操作温度
-65°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
逻辑电平兼容
电压 - 额定直流
30V
额定电流
80A
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
187W
接通延迟时间
20 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.5m Ω @ 80A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
10500pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
170nC @ 5V
上升时间
185ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
200 ns
连续放电电流(ID)
80A
阈值电压
1.5V
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
栅源电压
1.5 V
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDP8030L拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor








哦! 它是空的。