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首页 全部分类 FDP8N50NZ vs IRF840B

FDP8N50NZ备选型号: IRF840B

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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 元素配置
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  • 功率耗散
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 供应商器件包装
  • 终端
  • 电阻
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDP8N50NZ
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V TO-220AB-3
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET™
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    130W
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    850m Ω @ 4A, 10V
    5V @ 250μA
    735pF @ 25V
    18nC @ 10V
    34ns
    500V
    ±25V
    27 ns
    8A
    TO-220AB
    25V
    8A
    0.85Ohm
    500V
    9.4mm
    10.67mm
    4.83mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    IRF840B
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
    -
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    -
    8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2005
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    134W
    -
    N-Channel
    -
    800mOhm @ 4A, 10V
    4V @ 250μA
    1800pF @ 25V
    53nC @ 10V
    65ns
    500V
    ±30V
    75 ns
    8A
    -
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    10.67mm
    符合RoHS标准
    TO-220-3
    通孔
    800mOhm
    150°C
    -55°C
    500V
    500V
    1.8nF
    650mOhm
    800 mΩ
    4 V
    无SVHC
    无铅
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