FDP8N50NZ备选型号: STP10N62K3

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 电阻
  • 端子位置
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 配置
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V TO-220AB-3
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET™
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    130W
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    850m Ω @ 4A, 10V
    5V @ 250μA
    735pF @ 25V
    18nC @ 10V
    34ns
    500V
    ±25V
    27 ns
    8A
    TO-220AB
    25V
    8A
    0.85Ohm
    500V
    9.4mm
    10.67mm
    4.83mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220
    -
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    SILICON
    8.4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperMESH3™
    -
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    125W
    14.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    750m Ω @ 4A, 10V
    4.5V @ 100μA
    1250pF @ 50V
    42nC @ 10V
    15ns
    620V
    ±30V
    31 ns
    8.4A
    TO-220AB
    30V
    -
    -
    -
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    ROHS3 Compliant
    680mOhm
    SINGLE
    STP10
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    3.75V
    650V
    220 mJ
    3.75 V
    无SVHC
    无铅
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