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首页 全部分类 FDPF3860T vs FQPF33N10L

FDPF3860T备选型号: FQPF33N10L

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  • 箱体转运
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDPF3860T
    ON Semiconductor
    In a Pack of 10, N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V, 3-Pin TO-220F ON Semiconductor FDPF3860T
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    2.27g
    SILICON
    20A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    3.802GOhm
    Tin (Sn)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    33.8W
    ISOLATED
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    38.2m Ω @ 5.9A, 10V
    4.5V @ 250μA
    1800pF @ 25V
    35nC @ 10V
    17ns
    ±20V
    7 ns
    20A
    2.5V
    TO-220AB
    20V
    100V
    80A
    278 mJ
    16.07mm
    10.36mm
    4.9mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQPF33N10L
    ON Semiconductor
    MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    10 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    2.27g
    SILICON
    18A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    QFET®
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    41W
    ISOLATED
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    52m Ω @ 9A, 10V
    2V @ 250μA
    1630pF @ 25V
    40nC @ 5V
    470ns
    ±20V
    120 ns
    18A
    -
    -
    20V
    100V
    72A
    -
    16.07mm
    10.36mm
    4.9mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    100V
    18A
    0.055Ohm
    无
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FQPF33N10L FQPF33N10L ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 Full Pack MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level 对比