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首页 全部分类 FDPF55N06 vs IPA040N06NXKSA1

FDPF55N06备选型号: IPA040N06NXKSA1

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  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDPF55N06
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 55A TO-220F
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    2.27g
    SILICON
    55A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET™
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    Single
    增强型MOSFET
    48W
    ISOLATED
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    22m Ω @ 27.5A, 10V
    4V @ 250μA
    1510pF @ 25V
    37nC @ 10V
    130ns
    ±25V
    95 ns
    55A
    TO-220AB
    25V
    0.022Ohm
    60V
    220A
    480 mJ
    16.07mm
    10.36mm
    4.9mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPA040N06NXKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 69A 3-Pin TO-220 Tube
    -
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    -
    SILICON
    69A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    ISOLATED
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4m Ω @ 69A, 10V
    3.3V @ 50μA
    3375pF @ 30V
    44nC @ 10V
    16ns
    ±20V
    8 ns
    69A
    TO-220AB
    20V
    0.004Ohm
    -
    276A
    77 mJ
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    SINGLE
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    无卤素
    60V
    无铅
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