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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥17.746142
10
¥16.741644
100
¥15.794002
500
¥14.900002
1000
¥14.056602
Infineon Technologies IPA040N06NXKSA1
- 收藏
- 对比
IPA040N06NXKSA1
1211-IPA040N06NXKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack
大陆
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Trans MOSFET N-CH 60V 69A 3-Pin TO-220 Tube
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPA040N06NXKSA1详情
Infineon Technologies IPA040N06NXKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
69A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
36W Tc
Turn Off Delay Time
33 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
OptiMOS™
已出版
2012
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
接通延迟时间
14 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
4m Ω @ 69A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.3V @ 50μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3375pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
44nC @ 10V
上升时间
16ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
69A
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
60V
漏极-源极导通最大电阻
0.004Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
276A
雪崩能量等级(Eas)
77 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IPA040N06NXKSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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