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首页 全部分类 FDS3682 vs IRF7488PBF

FDS3682备选型号: IRF7488PBF

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  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 系列
  • 已出版
  • 操作温度
  • 包装
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 配置
  • 行间距
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDS3682
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 6A 8SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    34 ns
    4V @ 250μA
    PowerTrench®
    2002
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    100V
    6A
    2.5W
    N-Channel
    35m Ω @ 6A, 10V
    1300pF @ 25V
    25nC @ 10V
    35ns
    ±20V
    37 ns
    6A
    20V
    100V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7488PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 80V 6.3A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    6.3A Ta
    4V @ 250μA
    HEXFET®
    2004
    -
    Tube
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    80V
    6.3A
    2.5W
    N-Channel
    29m Ω @ 3.8A, 10V
    1680pF @ 25V
    57nC @ 10V
    12ns
    ±20V
    16 ns
    6.3A
    20V
    80V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    e3
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    DUAL
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    6.3 mm
    增强型MOSFET
    13 ns
    SWITCHING
    4V
    0.029Ohm
    50A
    80V
    96 mJ
    4 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    4.05mm
    无SVHC
    无
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IRF7488PBF IRF7488PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 80V 6.3A 8-SOIC 对比