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首页 全部分类 FDS4488 vs FDS8882

FDS4488备选型号: FDS8882

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  • 包装
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 系列
  • 无铅代码
  • 电阻
  • 附加功能
  • 元素配置
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FDS4488
    ON Semiconductor
    MOSFET SO-8
    SOIC
    表面贴装
    8
    1
    Tape & Reel (TR)
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    175°C
    -55°C
    30V
    1W
    DUAL
    鸥翼
    7.9A
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    7.4 ns
    SWITCHING
    7.5ns
    30V
    N-CHANNEL
    5 ns
    7.9A
    25V
    0.0079A
    30V
    927pF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    22mOhm
    22 mΩ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS8882
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    8
    9A Ta
    Tape & Reel (TR)
    e4
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    -
    -
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    7 ns
    SWITCHING
    3ns
    -
    -
    4 ns
    9A
    20V
    9A
    30V
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    18 Weeks
    表面贴装
    130mg
    SILICON
    3V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    PowerTrench®
    yes
    20MOhm
    超低电阻
    Single
    N-Channel
    20m Ω @ 9A, 10V
    940pF @ 15V
    20nC @ 10V
    ±20V
    1.7V
    32 mJ
    1.7 V
    无SVHC
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