FDS4559-F085备选型号: IRF7343TRPBF
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- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
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- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 额定电流
- 基本部件号
- 行间距
- 通道数量
- 接通延迟时间
- 阈值电压
- 最大结点温度(Tj)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SOACTIVE (Last Updated: 1 week ago)表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8230.4mgSILICON4.5A 3.5A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®2002yes活跃1 (Unlimited)82WDUAL鸥翼增强型MOSFET2WN and P-ChannelSWITCHING55m Ω @ 4.5A, 10V3V @ 250μA650pF @ 25V18nC @ 10V10nsN-CHANNEL12 ns3.5A20V4.5A0.055Ohm60VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门无ROHS3 Compliant无铅------------------
- MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC-表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8-SILICON4.7A 3.4A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2004-活跃1 (Unlimited)82WDUAL鸥翼增强型MOSFET2WN and P-ChannelSWITCHING50m Ω @ 4.7A, 10V1V @ 250μA740pF @ 25V36nC @ 10V10nsN-CHANNEL AND P-CHANNEL22 ns4.7A20V--55VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandard无ROHS3 Compliant无铅12 WeeksTine3EAR9950mOhmAVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE4.7AIRF7343PBF6.3 mm28.3 ns1V150°C1 V1.75mm4.9784mm3.9878mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7343TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC | 对比 |
![]() | STS4DNF60L | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R | 对比 |




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