ON Semiconductor FDS4559-F085
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FDS4559-F085
1807-FDS4559-F085
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO
--最小包装量--
FDS4559-F085详情
ON Semiconductor FDS4559-F085重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
230.4mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.5A 3.5A
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
19 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
已出版
2002
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
最大功率耗散
2W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2W
场效应管类型
N and P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
55m Ω @ 4.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
650pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
18nC @ 10V
上升时间
10ns
极性/通道类型
N-CHANNEL
下降时间(典型值)
12 ns
连续放电电流(ID)
3.5A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4.5A
漏极-源极导通最大电阻
0.055Ohm
漏源击穿电压
60V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDS4559-F085拓展信息










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