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首页 全部分类 FDS4935BZ vs FDS8858CZ

FDS4935BZ备选型号: FDS8858CZ

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  • 额定电流
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  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 场效应管技术
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子位置
  • 极性/通道类型
  • ON Semiconductor
    FDS4935BZ
    ON Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    187mg
    SILICON
    6.9A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    22MOhm
    Tin (Sn)
    ESD PROTECTION
    -30V
    1.6W
    鸥翼
    -6.9A
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    1.6W
    12 ns
    900mW
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    22m Ω @ 6.9A, 10V
    3V @ 250μA
    1360pF @ 15V
    40nC @ 10V
    13ns
    30V
    13 ns
    -6.9A
    -1.9V
    25V
    -30V
    -30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    逻辑电平门
    1.9 V
    1.75mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS8858CZ
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC N T/R
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    187mg
    SILICON
    8.6A 7.3A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    17mOhm
    Tin (Sn)
    -
    -
    900mW
    鸥翼
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    2W
    -
    -
    N and P-Channel
    SWITCHING
    17m Ω @ 8.6A, 10V
    3V @ 250μA
    1205pF @ 15V
    24nC @ 10V
    10ns
    -
    16 ns
    8.6A
    1.6V
    25V
    -60V
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    -
    逻辑电平门
    1.6 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    DUAL
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
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