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首页 全部分类 FDS6576 vs FDS6575

FDS6576备选型号: FDS6575

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  • 包装
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  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 附加功能
  • ON Semiconductor
    FDS6576
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 20V 11A 8-Pin SOIC N T/R
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    18 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    130mg
    SILICON
    11A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2006
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    14MOhm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    -20V
    DUAL
    鸥翼
    -11A
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    18 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    14m Ω @ 11A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    4044pF @ 10V
    60nC @ 4.5V
    17ns
    20V
    ±12V
    79 ns
    11A
    -830mV
    12V
    -20V
    -20V
    -830 mV
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • ON Semiconductor
    FDS6575
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 10A 8-SO
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    18 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    130mg
    SILICON
    10A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2001
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    -
    EAR99
    13MOhm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    -20V
    DUAL
    鸥翼
    -10A
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    16 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    13m Ω @ 10A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    4951pF @ 10V
    74nC @ 4.5V
    9ns
    20V
    ±8V
    78 ns
    10A
    -
    8V
    -20V
    -
    -600 mV
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    逻辑电平兼容
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