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首页 全部分类 FDS6612A vs FDS6982AS

FDS6612A备选型号: FDS6982AS

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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 已出版
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  • 通道数量
  • 功率 - 最大
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 恢复时间
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  • 场效应管特性
  • 关断时间-最大值（toff)
  • 接通时间-最大值(ton)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    FDS6612A
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
    18 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    130mg
    SILICON
    2.5W Ta
    PowerTrench®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    22MOhm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    逻辑电平兼容
    30V
    DUAL
    鸥翼
    8.4A
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    22m Ω @ 8.4A, 10V
    3V @ 250μA
    560pF @ 15V
    7.6nC @ 5V
    5ns
    ±20V
    3 ns
    8.4A
    1.9V
    20V
    30V
    30V
    1.9 V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS6982AS
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDS6982AS - Dual MOSFET, Dual N Channel, 8.6 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.4 V
    18 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    187mg
    SILICON
    6.3A 8.6A
    PowerTrench®, SyncFET™
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    -
    EAR99
    28MOhm
    -
    -
    30V
    -
    鸥翼
    8.6A
    -
    增强型MOSFET
    2W
    12 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    28m Ω @ 6.3A, 10V
    3V @ 250μA
    610pF @ 10V
    15nC @ 10V
    7ns
    -
    3 ns
    8.6A
    1.9V
    20V
    30V
    -
    1.4 V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    2005
    2W
    2
    900mW
    30A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    19 ns
    150°C
    逻辑电平门
    64ns
    34ns
    1.75mm
    5mm
    3.99mm
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