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首页 全部分类 FDS6612A vs FDS8884

FDS6612A备选型号: FDS8884

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  • 终端形式
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 已出版
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    FDS6612A
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
    18 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    130mg
    SILICON
    2.5W Ta
    PowerTrench®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    22MOhm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    逻辑电平兼容
    30V
    DUAL
    鸥翼
    8.4A
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    22m Ω @ 8.4A, 10V
    3V @ 250μA
    560pF @ 15V
    7.6nC @ 5V
    5ns
    ±20V
    3 ns
    8.4A
    1.9V
    20V
    30V
    30V
    1.9 V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS8884
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC N T/R
    18 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    130mg
    SILICON
    8.5A Ta
    PowerTrench®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    -
    EAR99
    -
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    快速切换
    30V
    DUAL
    鸥翼
    8.5A
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    23m Ω @ 8.5A, 10V
    2.5V @ 250μA
    635pF @ 15V
    13nC @ 10V
    9ns
    ±20V
    21 ns
    8.5A
    1.7V
    20V
    30V
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    2006
    0.023Ohm
    40A
    32 mJ
    1.5mm
    5mm
    4mm
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