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首页 全部分类 FDS6692A vs DMS3016SSS-13

FDS6692A备选型号: DMS3016SSS-13

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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 元素配置
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 通道数量
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • ON Semiconductor
    FDS6692A
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    18 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    130mg
    SILICON
    9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2001
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    11.5MOhm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    1.47W
    DRAIN
    8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    11.5m Ω @ 9A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1610pF @ 15V
    29nC @ 10V
    32ns
    ±20V
    32 ns
    9A
    1.2V
    20V
    9A
    30V
    79 mJ
    1.575mm
    4.9mm
    3.9mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMS3016SSS-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 30V 9.8A 8SO
    -
    7 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    73.992255mg
    -
    9.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2010
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1.54W
    -
    6.62 ns
    N-Channel
    -
    13mOhm @ 9.8A, 10V
    2.3V @ 250μA
    1849pF @ 15V
    43nC @ 10V
    8.73ns
    ±12V
    4.69 ns
    9.8A
    1V
    12V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    8-SO
    150°C
    -55°C
    1
    30V
    1.849nF
    Schottky Diode (Body)
    9mOhm
    13 mΩ
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