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首页 全部分类 FDS6692A vs FDS6680AS

FDS6692A备选型号: FDS6680AS

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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 恢复时间
  • ON Semiconductor
    FDS6692A
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    18 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    130mg
    SILICON
    9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2001
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    11.5MOhm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    1.47W
    DRAIN
    8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    11.5m Ω @ 9A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1610pF @ 15V
    29nC @ 10V
    32ns
    ±20V
    32 ns
    9A
    1.2V
    20V
    9A
    30V
    79 mJ
    1.575mm
    4.9mm
    3.9mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS6680AS
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    18 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    130mg
    SILICON
    11.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®, SyncFET™
    2005
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    10MOhm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    2.5mW
    -
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    10m Ω @ 11.5A, 10V
    3V @ 1mA
    1240pF @ 15V
    30nC @ 10V
    12ns
    ±20V
    11 ns
    11.5A
    1.5V
    20V
    -
    30V
    -
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -30V
    -11.5A
    18 ns
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