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首页 全部分类 FDS6975 vs FDS4935A

FDS6975备选型号: FDS4935A

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  • 最大功率耗散
  • 终端形式
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  • 功率耗散
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  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电压
  • 电流
  • ON Semiconductor
    FDS6975
    ON Semiconductor
    Dual P-Channel 30 V 32 mOhm Logic Level PowerTrench Mosfet - SOIC-8
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    187mg
    SILICON
    6A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2017
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    32mOhm
    逻辑电平兼容
    -30V
    2W
    鸥翼
    -6A
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    13 ns
    900mW
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    32m Ω @ 6A, 10V
    3V @ 250μA
    1540pF @ 15V
    20nC @ 5V
    22ns
    30V
    18 ns
    -6A
    -1.7V
    20V
    6A
    -30V
    -30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -1.7 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS4935A
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDS4935A - DUAL P CHANNEL MOSFET, -30V, SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2002
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    23MOhm
    -
    -30V
    900mW
    鸥翼
    -7A
    Dual
    增强型MOSFET
    1.6W
    13 ns
    -
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    23m Ω @ 7A, 10V
    3V @ 250μA
    1233pF @ 15V
    21nC @ 5V
    10ns
    -
    25 ns
    7A
    -1.6V
    20V
    -
    -30V
    -30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -1.6 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    30V
    7A
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