FDS7064N备选型号: IRF8113TRPBF
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
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- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 配置
- 行间距
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 阈值电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8-SO16A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2004Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C30V16A3WN-Channel7.5mOhm @ 16A, 4.5V2V @ 250μA3355pF @ 15V48nC @ 4.5V13ns30V±12V26 ns16A12V30V3.355nF7.5mOhm7.5 mΩ符合RoHS标准无铅-----------------
- MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)-17.2A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2005活跃1 (Unlimited)--30V16.6A2.5WN-Channel5.6m Ω @ 17.2A, 10V2.2V @ 250μA2910pF @ 15V36nC @ 4.5V8.9ns-±20V3.5 ns17.2A20V30V---ROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free12 Weeks8SMD/SMTEAR995.6MOhmSingle6.3 mm增强型MOSFET13 ns2.2V30V2.2 V1.4986mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDS7764A | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R | 对比 |



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