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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥16.673638
10
¥15.729845
100
¥14.839479
500
¥13.999507
1000
¥13.207084
ON Semiconductor FDS7064N
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- 对比
FDS7064N
1807-FDS7064N
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
--最小包装量--
¥
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FDS7064N详情
ON Semiconductor FDS7064N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件包装
8-SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
16A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Power Dissipation (Max)
3W Ta
Turn Off Delay Time
54 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2004
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
30V
额定电流
16A
功率耗散
3W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
7.5mOhm @ 16A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3355pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
48nC @ 4.5V
上升时间
13ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
26 ns
连续放电电流(ID)
16A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
30V
输入电容
3.355nF
漏源电阻
7.5mOhm
最大rds
7.5 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FDS7064N拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor







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