FDS7764A备选型号: IRF8113TRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最大功率耗散
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 配置
- 行间距
- 操作模式
- 接通延迟时间
- Vgs(最大值)
- 阈值电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)815A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2009Obsolete1 (Unlimited)1W2.5WN-Channel7.5m Ω @ 15A, 4.5V2V @ 250μA3451pF @ 15V40nC @ 4.5V13ns20 ns15A12V30V符合RoHS标准--------------------
- MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)817.2A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2005活跃1 (Unlimited)-2.5WN-Channel5.6m Ω @ 17.2A, 10V2.2V @ 250μA2910pF @ 15V36nC @ 4.5V8.9ns3.5 ns17.2A20V30VROHS3 Compliant12 WeeksSMD/SMTEAR995.6MOhm30V16.6ASingle6.3 mm增强型MOSFET13 ns±20V2.2V30V2.2 V1.4986mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无Contains Lead, Lead Free
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF9317TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 30V 16A 8-SOIC | 对比 |
| FDS7064N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC | 对比 |



哦! 它是空的。