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首页 全部分类 FDS8882 vs IRF8313TRPBF

FDS8882备选型号: IRF8313TRPBF

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  • 已出版
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  • 基本部件号
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    FDS8882
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    130mg
    SILICON
    9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    20MOhm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    超低电阻
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    20m Ω @ 9A, 10V
    3V @ 250μA
    940pF @ 15V
    20nC @ 10V
    3ns
    ±20V
    4 ns
    9A
    1.7V
    20V
    9A
    30V
    32 mJ
    1.7 V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8313TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e3
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    15.5MOhm
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    鸥翼
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    8.3 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    15.5m Ω @ 9.7A, 10V
    2.35V @ 25μA
    760pF @ 15V
    9nC @ 4.5V
    9.9ns
    -
    4.2 ns
    9.7A
    1.8V
    20V
    -
    30V
    46 mJ
    1.8 V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2008
    2W
    IRF8313PBF
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
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