FDS8882备选型号: IRF8513PBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 已出版
  • 终端
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 功率 - 最大
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 双电源电压
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    130mg
    SILICON
    9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    20MOhm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    超低电阻
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    20m Ω @ 9A, 10V
    3V @ 250μA
    940pF @ 15V
    20nC @ 10V
    3ns
    ±20V
    4 ns
    9A
    1.7V
    20V
    9A
    30V
    32 mJ
    1.7 V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    -
    8A 11A
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    15.5MOhm
    -
    -
    -
    -
    Dual
    -
    2.4W
    -
    2 N-Channel (Dual)
    -
    15.5mOhm @ 8A, 10V
    2.35V @ 25μA
    766pF @ 15V
    8.6nC @ 4.5V
    -
    -
    -
    8A
    1.8V
    20V
    -
    30V
    -
    1.8 V
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    8-SO
    2008
    SMD/SMT
    175°C
    -55°C
    2.4W
    IRF8513PBF
    1.5W 2.4W
    30V
    30V
    766pF
    23 ns
    逻辑电平门
    22.2mOhm
    15.5 mΩ
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRF8313PBF IRF8313PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC 对比
IRF8313TRPBF IRF8313TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC 对比