FDS8935备选型号: NDS9410A
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- Vgs(最大值)
- MOSFET -80V Dual P-Channel PowerTrench MOSFETACTIVE (Last Updated: 6 days ago)11 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8187mgSILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®yes活跃1 (Unlimited)8EAR993.1W鸥翼Dual增强型MOSFET3.1W5 ns1.6W2 P-Channel (Dual)SWITCHING183m Ω @ 2.1A, 10V3V @ 250μA879pF @ 40V19nC @ 10V3ns80V3 ns2.1A-1.8V20V-80VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门-1.8 V36 pF1.5mm4mm5mm无SVHC无ROHS3 Compliant---
- MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC--表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8--7.3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)--Obsolete1 (Unlimited)------2.5W--N-Channel-28m Ω @ 7.3A, 10V3V @ 250μA830pF @ 15V22nC @ 10V10ns-5 ns7.3A-20V30V---------符合RoHS标准30V7.3A±20V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDS8884 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC N T/R | 对比 | |
![]() | DMC3021LSD-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO | 对比 |



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