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首页 全部分类 FDS8958A vs IRF9389TRPBF

FDS8958A备选型号: IRF9389TRPBF

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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • ECCN 代码
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • ON Semiconductor
    FDS8958A
    ON Semiconductor
    MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
    18 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    7A 5A
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    SMD/SMT
    28mOhm
    150°C
    -55°C
    2W
    DUAL
    鸥翼
    7A
    增强型MOSFET
    2W
    900mW
    N and P-Channel
    SWITCHING
    28m Ω @ 7A, 10V
    3V @ 250μA
    575pF @ 15V
    16nC @ 10V
    13ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    9 ns
    7A
    1.9V
    20V
    7A
    30V
    30V
    54 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.9 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF9389TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO
    -
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    6.8A 4.6A
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    -
    -
    -
    -
    2W
    -
    鸥翼
    -
    增强型MOSFET
    2W
    -
    N and P-Channel
    SWITCHING
    27m Ω @ 6.8A, 10V
    2.3V @ 10μA
    398pF @ 15V
    14nC @ 10V
    14ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    15 ns
    4.6A
    1.8V
    20V
    -
    30V
    -
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    EAR99
    IRF9389
    Dual
    34A
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