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首页 全部分类 FDS9400A vs FDS9953A

FDS9400A备选型号: FDS9953A

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  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 最大功率耗散
  • 功率 - 最大
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • ON Semiconductor
    FDS9400A
    ON Semiconductor
    MOSFET SO-8
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    230.4mg
    SILICON
    3.4A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2002
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    130MOhm
    Tin (Sn)
    -30V
    DUAL
    鸥翼
    -3.4A
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    4.5 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    130m Ω @ 1A, 10V
    3V @ 250μA
    205pF @ 15V
    3.5nC @ 5V
    12.5ns
    30V
    ±25V
    2 ns
    3.4A
    -1.8V
    25V
    -30V
    -1.8 V
    1.575mm
    4.9mm
    3.9mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS9953A
    ON Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    230.4mg
    SILICON
    2.9A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2001
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    130MOhm
    Tin (Sn)
    -30V
    -
    鸥翼
    -2.9A
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    4.5 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    130m Ω @ 1A, 10V
    3V @ 250μA
    185pF @ 15V
    3.5nC @ 10V
    13ns
    30V
    -
    2 ns
    2.9mA
    -1.8V
    25V
    -30V
    1.8 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2W
    900mW
    10A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
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