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首页 全部分类 FDS9400A vs IRF7306TRPBF

FDS9400A备选型号: IRF7306TRPBF

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  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
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  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 基本部件号
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  • 通道数量
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  • 场效应管技术
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • ON Semiconductor
    FDS9400A
    ON Semiconductor
    MOSFET SO-8
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    230.4mg
    SILICON
    3.4A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2002
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    130MOhm
    Tin (Sn)
    -30V
    DUAL
    鸥翼
    -3.4A
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    4.5 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    130m Ω @ 1A, 10V
    3V @ 250μA
    205pF @ 15V
    3.5nC @ 5V
    12.5ns
    30V
    ±25V
    2 ns
    3.4A
    -1.8V
    25V
    -30V
    -1.8 V
    1.575mm
    4.9mm
    3.9mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7306TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    SILICON
    3.6A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1997
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    100mOhm
    -
    -30V
    -
    鸥翼
    -3.6A
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    11 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    100m Ω @ 1.8A, 10V
    1V @ 250μA
    440pF @ 25V
    25nC @ 10V
    17ns
    30V
    -
    18 ns
    -3.6A
    -1V
    20V
    -30V
    -1 V
    1.75mm
    4.9784mm
    4.05mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    超低电阻
    2W
    IRF7306PBF
    6.3 mm
    2
    14A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    80 ns
    150°C
    逻辑电平门
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