FDS9953A备选型号: IRF7306TRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 附加功能
- 基本部件号
- 行间距
- 通道数量
- 恢复时间
- 最大结点温度(Tj)
- MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOICACTIVE (Last Updated: 1 week ago)10 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8230.4mgSILICON2.9A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2001e3yes活跃1 (Unlimited)8EAR99130MOhmTin (Sn)-30V2W鸥翼-2.9ADual增强型MOSFET2W4.5 ns900mW2 P-Channel (Dual)SWITCHING130m Ω @ 1A, 10V3V @ 250μA185pF @ 15V3.5nC @ 10V13ns30V2 ns2.9mA-1.8V25V-30V10AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门1.8 V1.5mm5mm4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-------
- MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC-12 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8-SILICON3.6A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®1997e3-活跃1 (Unlimited)8EAR99100mOhm--30V2W鸥翼-3.6ADual增强型MOSFET2W11 ns-2 P-Channel (Dual)SWITCHING100m Ω @ 1.8A, 10V1V @ 250μA440pF @ 25V25nC @ 10V17ns30V18 ns-3.6A-1V20V-30V14AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门-1 V1.75mm4.9784mm4.05mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅Tin超低电阻IRF7306PBF6.3 mm280 ns150°C
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDS9400A | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET SO-8 | 对比 | |
![]() | IRF7306TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC | 对比 |
![]() | IRF9952TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | 对比 |



哦! 它是空的。