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首页 全部分类 FDS9953A vs IRF9952TRPBF

FDS9953A备选型号: IRF9952TRPBF

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  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 端子位置
  • 基本部件号
  • 极性/通道类型
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    FDS9953A
    ON Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    230.4mg
    SILICON
    2.9A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2001
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    130MOhm
    Tin (Sn)
    -30V
    2W
    鸥翼
    -2.9A
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    4.5 ns
    900mW
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    130m Ω @ 1A, 10V
    3V @ 250μA
    185pF @ 15V
    3.5nC @ 10V
    13ns
    30V
    2 ns
    2.9mA
    -1.8V
    25V
    -30V
    10A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.8 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF9952TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    SILICON
    3.5A 2.3A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    100mOhm
    -
    -
    2W
    鸥翼
    3.5A
    -
    增强型MOSFET
    2W
    -
    -
    N and P-Channel
    SWITCHING
    100m Ω @ 2.2A, 10V
    1V @ 250μA
    190pF @ 15V
    14nC @ 10V
    14ns
    -
    -
    3.5A
    1V
    20V
    30V
    16A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    IRF9952PBF
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    44 mJ
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