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首页 全部分类 FDS9953A vs NDS8961

FDS9953A备选型号: NDS8961

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  • 最大功率耗散
  • 终端形式
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  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDS9953A
    ON Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    230.4mg
    SILICON
    2.9A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2001
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    130MOhm
    Tin (Sn)
    -30V
    2W
    鸥翼
    -2.9A
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    4.5 ns
    900mW
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    130m Ω @ 1A, 10V
    3V @ 250μA
    185pF @ 15V
    3.5nC @ 10V
    13ns
    30V
    2 ns
    2.9mA
    -1.8V
    25V
    -30V
    10A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.8 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • ON Semiconductor
    NDS8961
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8-SOIC
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    -
    -
    14 ns
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    -
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    30V
    900mW
    -
    3.1A
    -
    -
    2W
    -
    -
    2 N-Channel (Dual)
    -
    100m Ω @ 3.1A, 10V
    3V @ 250μA
    190pF @ 15V
    10nC @ 10V
    15ns
    -
    3 ns
    3.1A
    -
    20V
    30V
    -
    -
    逻辑电平门
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
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