您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 FDT458P vs FDT3612

FDT458P备选型号: FDT3612

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • ON Semiconductor
    FDT458P
    ON Semiconductor
    30V/20V, 130/200MO, PCH, SINGL
    ACTIVE (Last Updated: 11 hours ago)
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    3
    188mg
    SILICON
    3.4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2001
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    TIN
    -30V
    DUAL
    鸥翼
    260
    -3.4A
    30
    R-PDSO-G4
    1
    Single
    增强型MOSFET
    3W
    DRAIN
    4.5 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    130m Ω @ 3.4A, 10V
    3V @ 250μA
    205pF @ 15V
    3.5nC @ 10V
    12.5ns
    30V
    ±20V
    2 ns
    3.4A
    -1.8V
    20V
    -30V
    150°C
    1.8mm
    6.5mm
    3.56mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDT3612
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDT3612 - MOSFET Transistor, N Channel, 3.7 A, 100 V, 0.12 ohm, 10 V, 2.5 V
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    3
    250.2mg
    SILICON
    3.7A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    -
    100V
    DUAL
    鸥翼
    -
    3.7A
    -
    R-PDSO-G4
    1
    Single
    增强型MOSFET
    3W
    DRAIN
    8.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    120m Ω @ 3.7A, 10V
    4V @ 250μA
    632pF @ 50V
    20nC @ 10V
    2ns
    -
    ±20V
    4.5 ns
    3.7A
    2.5V
    20V
    100V
    150°C
    1.8mm
    6.5mm
    3.56mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    120MOhm
    20A
    90 mJ
    2.5 V
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
NDT3055 NDT3055 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-261-4, TO-261AA On a Reel of 4000, N-Channel MOSFET, 4 A, 60 V, 3 Tab-Pin SOT-223 Fairchild NDT3055 对比
ZXM62N03GTA ZXM62N03GTA Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-261-4, TO-261AA MOSFET 30V N-Chnl HDMOS 对比
FDT3612 FDT3612 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-261-4, TO-261AA ON SEMICONDUCTOR - FDT3612 - MOSFET Transistor, N Channel, 3.7 A, 100 V, 0.12 ohm, 10 V, 2.5 V 对比