FDT459N备选型号: DMN3032LE-13

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 基本部件号
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    LIFETIME (Last Updated: 11 hours ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    3
    250.2mg
    SILICON
    6.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1998
    e3
    yes
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Tin (Sn)
    30V
    DUAL
    鸥翼
    6.5A
    R-PDSO-G4
    Single
    增强型MOSFET
    3W
    DRAIN
    5.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    35m Ω @ 6.5A, 10V
    2V @ 250μA
    365pF @ 15V
    17nC @ 10V
    8.2ns
    ±20V
    16 ns
    6.5A
    20V
    30V
    20A
    1.7mm
    6.7mm
    3.7mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    3
    -
    -
    5.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2014
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    -
    2.3 ns
    N-Channel
    -
    29mOhm @ 3.2A, 10V
    2V @ 250μA
    498pF @ 15V
    11.3nC @ 10V
    3.9ns
    ±20V
    1.9 ns
    5.6A
    20V
    -
    -
    1.65mm
    6.55mm
    3.55mm
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    22 Weeks
    SOT-223
    150°C
    -55°C
    DMN3032
    30V
    498pF
    35mOhm
    29 mΩ
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
NDT451AN NDT451AN ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-261-4, TO-261AA MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4 对比
DMN3032LE-13 DMN3032LE-13 Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-261-4, TO-261AA MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223 对比
ZXMP3A16GTA ZXMP3A16GTA Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-261-4, TO-261AA MOSFET P-CH 30V 4.6A SOT223 对比