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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.413302
10
¥1.333304
100
¥1.257833
500
¥1.186636
1000
¥1.119467
Diodes Incorporated DMN3032LE-13
- 收藏
- 对比
DMN3032LE-13
671-DMN3032LE-13
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-261-4, TO-261AA
大陆
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MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMN3032LE-13详情
Diodes Incorporated DMN3032LE-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
22 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
3
供应商器件包装
SOT-223
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5.6A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
1.8W Ta
Turn Off Delay Time
10 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2014
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
基本部件号
DMN3032
元素配置
Single
接通延迟时间
2.3 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
29mOhm @ 3.2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
498pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
11.3nC @ 10V
上升时间
3.9ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
1.9 ns
连续放电电流(ID)
5.6A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
输入电容
498pF
漏源电阻
35mOhm
最大rds
29 mΩ
高度
1.65mm
长度
6.55mm
宽度
3.55mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMN3032LE-13拓展信息
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
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