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首页 全部分类 FDT86113LZ vs IRFL4310TRPBF

FDT86113LZ备选型号: IRFL4310TRPBF

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  • 箱体转运
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电阻
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
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  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 最小击穿电压
  • ON Semiconductor
    FDT86113LZ
    ON Semiconductor
    MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 12 hours ago)
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    250.2mg
    SILICON
    3.3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    2.2W
    DRAIN
    3.8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    100m Ω @ 3.3A, 10V
    2.5V @ 250μA
    315pF @ 50V
    6.8nC @ 10V
    1.3ns
    ±20V
    1.5 ns
    3.3A
    1.7V
    20V
    100V
    5 pF
    1.7mm
    3.7mm
    6.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFL4310TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
    -
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    3
    -
    SILICON
    1.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1999
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    7.8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    200m Ω @ 1.6A, 10V
    4V @ 250μA
    330pF @ 25V
    25nC @ 10V
    18ns
    ±20V
    20 ns
    1.6A
    2V
    20V
    100V
    -
    1.8mm
    6.6802mm
    3.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    200mOhm
    100V
    260
    1.6A
    30
    R-PDSO-G4
    1
    2.2A
    110 ns
    150°C
    4 V
    100V
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