Infineon Technologies IRFL4310TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.6A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1W Ta

Turn Off Delay Time

34 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

1999

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

电阻

200mOhm

附加功能

HIGH RELIABILITY

电压 - 额定直流

100V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

1.6A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PDSO-G4

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.1W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

7.8 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

200m Ω @ 1.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

330pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

25nC @ 10V

上升时间

18ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

20 ns

连续放电电流(ID)

1.6A

阈值电压

2V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.2A

漏源击穿电压

100V

恢复时间

110 ns

最大结点温度（Tj）

150°C

栅源电压

4 V

最小击穿电压

100V

高度

1.8mm

长度

6.6802mm

宽度

3.7mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅