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FDU6N50TU备选型号: FCU5N60TU
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- 晶体管元件材料
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- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 箱体转运
- 阈值电压
- 达到SVHC
- 无铅
MOSFET N-CH 500V 6A IPAK5 WeeksACTIVE (Last Updated: 1 week ago)TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA通孔通孔3343.08mgSILICON25 ns2013UniFET™Tube-55°C~150°C TJe3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)8541.29.00.95Single增强型MOSFET89W6 nsN-ChannelSWITCHING900m Ω @ 3A, 10V5V @ 250μA940pF @ 25V16.6nC @ 10V55ns±30V35 ns6A30V6A0.9Ohm500V24A270 mJROHS3 Compliant无------- MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK36 WeeksACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA通孔通孔3343.08mgSILICON4.6A Tc-SuperFET™Tube-55°C~150°C TJe3yes不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)-Single增强型MOSFET54W12 nsN-ChannelSWITCHING950m Ω @ 2.3A, 10V5V @ 250μA600pF @ 25V16nC @ 10V40ns±30V22 ns4.6A30V-0.95Ohm600V--ROHS3 Compliant无600V4.6AISOLATED5V无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FCU5N60TU | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK | 对比 |
 | STU9N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2 | 对比 |
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