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首页 全部分类 FDU6N50TU vs STU11N65M2

FDU6N50TU备选型号: STU11N65M2

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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 电阻
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 阈值电压
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FDU6N50TU
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 6A IPAK
    5 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    通孔
    通孔
    3
    343.08mg
    SILICON
    25 ns
    2013
    UniFET™
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    Single
    增强型MOSFET
    89W
    6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    900m Ω @ 3A, 10V
    5V @ 250μA
    940pF @ 25V
    16.6nC @ 10V
    55ns
    ±30V
    35 ns
    6A
    30V
    6A
    0.9Ohm
    500V
    24A
    270 mJ
    ROHS3 Compliant
    无
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STU11N65M2
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STU11N65M2 Power MOSFET, N Channel, 7 A, 650 V, 0.6 ohm, 10 V, 3 V
    26 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    通孔
    通孔
    3
    3.949996g
    -
    7A Tc
    -
    MDmesh™ II Plus
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    8.5 ns
    N-Channel
    -
    670m Ω @ 3.5A, 10V
    4V @ 250μA
    410pF @ 100V
    12.5nC @ 10V
    7.5ns
    ±25V
    15 ns
    7A
    25V
    -
    -
    650V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    600mOhm
    未说明
    未说明
    STU11N
    1
    3V
    无SVHC
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