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首页 全部分类 FDW2511NZ vs NTQS6463R2

FDW2511NZ备选型号: NTQS6463R2

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • Vgs（最大值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • ON Semiconductor
    FDW2511NZ
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 20V 7.1A 8TSSOP
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
    8
    8-TSSOP
    7.1A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    20V
    1.6W
    7.1A
    1.6W
    1.6W
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    20mOhm @ 7.1A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    1000pF @ 10V
    17.3nC @ 4.5V
    84ns
    20V
    84 ns
    7.1A
    800mV
    12V
    20V
    1nF
    逻辑电平门
    20mOhm
    20 mΩ
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTQS6463R2
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 6.8A 8-TSSOP
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
    8
    -
    6.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -20V
    -
    -6.8A
    1.39W
    -
    P-Channel
    20m Ω @ 6.8A, 4.5V
    900mV @ 250μA
    -
    50nC @ 5V
    22ns
    20V
    22 ns
    6.8A
    -
    12V
    -20V
    -
    -
    -
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    OBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
    SILICON
    e0
    no
    8
    EAR99
    Tin/Lead (Sn90Pb10)
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    DUAL
    鸥翼
    240
    not_compliant
    30
    8
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    ±12V
    5.5A
    0.02Ohm
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
NTQS6463R2 NTQS6463R2 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) MOSFET P-CH 20V 6.8A 8-TSSOP 对比