FDW2511NZ
FDW2511NZ

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

价格梯度

内地含税价

  • 1

    ¥4.749331

  • 10

    ¥4.480499

  • 100

    ¥4.226891

  • 500

    ¥3.987631

  • 1000

    ¥3.761916

ON Semiconductor FDW2511NZ

  • 收藏
  • 对比

型号

FDW2511NZ

utmel 编号

1807-FDW2511NZ

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 2N-CH 20V 7.1A 8TSSOP

起订量

--最小包装量--

单价:

总价:

添加到询价列表
FDW2511NZ
FDW2511NZ ON Semiconductor MOSFET 2N-CH 20V 7.1A 8TSSOP

单价: $

合计:

库存:415837

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

FDW2511NZ详情

ON Semiconductor FDW2511NZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

  • 引脚数

    8

  • 供应商器件包装

    8-TSSOP

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    7.1A

  • Number of Elements

    2

  • Turn Off Delay Time

    41 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    PowerTrench®

  • 已出版

    2004

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 电压 - 额定直流

    20V

  • 最大功率耗散

    1.6W

  • 额定电流

    7.1A

  • 功率耗散

    1.6W

  • 功率 - 最大

    1.6W

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual) Common Drain

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    20mOhm @ 7.1A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1000pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    17.3nC @ 4.5V

  • 上升时间

    84ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • 下降时间(典型值)

    84 ns

  • 连续放电电流(ID)

    7.1A

  • 阈值电压

    800mV

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    12V

  • 漏源击穿电压

    20V

  • 输入电容

    1nF

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • 漏源电阻

    20mOhm

  • 最大rds

    20 mΩ

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

右边的3个型号有着和ON Semiconductor & FDW2511NZ相似的参数规格。

  • 图片
    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Drain to Source Voltage (Vdss)
    Continuous Drain Current (ID)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Threshold Voltage
    Rds On Max
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Max Power Dissipation
    Power Dissipation
    查看对比:
  • FDW2511NZ

    FDW2511NZ

    Surface Mount

    8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

    20V

    7.1 A

    7.1A

    800 mV

    20 mΩ

    12 V

    1.6 W

    1.6 W

  • FDW2507N

    Surface Mount

    8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

    -

    6.1 A

    6.7A, 6.1A

    600 mV

    -

    12 V

    1.7 W

    -

  • NTQS6463R2

    Surface Mount

    8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

    20V

    6.8 A

    6.8A (Ta)

    -

    -

    12 V

    -

    1.39 W

查看更多

FDW2511NZ拓展信息

FDG6301N
FDG6301N

ON Semiconductor

NDC7001C
NDC7001C

ON Semiconductor

FDS4935BZ
FDS4935BZ

ON Semiconductor

FDC6303N
FDC6303N

ON Semiconductor

FDC6301N
FDC6301N

ON Semiconductor

FDS8958A
FDS8958A

ON Semiconductor

FDC6333C
FDC6333C

ON Semiconductor

FDS4935A
FDS4935A

ON Semiconductor

FDG8850NZ
FDG8850NZ

ON Semiconductor

FDS6898A
FDS6898A

ON Semiconductor

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z