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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.749331
10
¥4.480499
100
¥4.226891
500
¥3.987631
1000
¥3.761916
ON Semiconductor FDW2511NZ
- 收藏
- 对比
FDW2511NZ
1807-FDW2511NZ
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
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MOSFET 2N-CH 20V 7.1A 8TSSOP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDW2511NZ详情
ON Semiconductor FDW2511NZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-TSSOP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7.1A
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
41 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2004
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
20V
最大功率耗散
1.6W
额定电流
7.1A
功率耗散
1.6W
功率 - 最大
1.6W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Rds On(Max)@Id,Vgs
20mOhm @ 7.1A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1000pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17.3nC @ 4.5V
上升时间
84ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
84 ns
连续放电电流(ID)
7.1A
阈值电压
800mV
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
20V
输入电容
1nF
场效应管特性
逻辑电平门
漏源电阻
20mOhm
最大rds
20 mΩ
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FDW2511NZ拓展信息








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