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首页 全部分类 FDY102PZ vs NTJS4405NT4G

FDY102PZ备选型号: NTJS4405NT4G

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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • ON Semiconductor
    FDY102PZ
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 0.83A SC89-3
    ACTIVE (Last Updated: 22 hours ago)
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    SC-89, SOT-490
    3
    30mg
    SILICON
    830mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    500MOhm
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    625mW
    3.5 ns
    P-Channel
    500m Ω @ 830mA, 4.5V
    1V @ 250μA
    135pF @ 10V
    3.1nC @ 4.5V
    2.9ns
    ±8V
    2.9 ns
    830mA
    -700mV
    8V
    20V
    780μm
    1.7mm
    980μm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTJS4405NT4G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363
    -
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    -
    -
    SILICON
    1A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2006
    e3
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    增强型MOSFET
    630mW
    -
    N-Channel
    350m Ω @ 600mA, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    60pF @ 10V
    1.5nC @ 4.5V
    4.7ns
    ±8V
    4.7 ns
    1A
    -
    8V
    25V
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    Tin (Sn)
    25V
    260
    1A
    40
    6
    R-PDSO-G6
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    SWITCHING
    1A
    0.35Ohm
    12 pF
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