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首页 全部分类 FDY2000PZ vs FDG314P

FDY2000PZ备选型号: FDG314P

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • Vgs（最大值）
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • ON Semiconductor
    FDY2000PZ
    ON Semiconductor
    MOSFET -20V Dual P-Channel Spec PwrTrch MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 22 hours ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    6
    32mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    625mW
    FLAT
    Dual
    增强型MOSFET
    630mW
    6 ns
    446mW
    2 P-Channel (Dual)
    1.2 Ω @ 350mA, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    100pF @ 10V
    1.4nC @ 4.5V
    13ns
    20V
    13 ns
    350mA
    -1.03V
    8V
    0.35A
    -20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    600μm
    1.7mm
    1.2mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDG314P
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 25V 0.65A SC70-6
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    -
    -
    650mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2000
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    750mW
    -
    -
    P-Channel
    1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    63pF @ 10V
    1.5nC @ 4.5V
    8ns
    25V
    8 ns
    650mA
    -
    8V
    -
    -25V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    SC-88 (SC-70-6)
    150°C
    -55°C
    -25V
    -650mA
    ±8V
    63pF
    1.1Ohm
    1.1 Ω
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