FDY2001PZ备选型号: DMP2004K-7
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 功率耗散
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 场效应管特性
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 质量
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- Vgs(最大值)
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 最大结点温度(Tj)
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 宽度
- 高度
- 长度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET 2P-CH 20V 0.15A SOT-563F表面贴装表面贴装SOT-563, SOT-6666SOT-563F150mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C446mWDual630mW446mW2 P-Channel (Dual)8Ohm @ 150mA, 4.5V1.5V @ 250μA100pF @ 10V1.4nC @ 4.5V13ns20V13 ns150mA8V-20V100pF逻辑电平门8Ohm8 Ω符合RoHS标准-------------------------------
- Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.6A; 0.55W; SOT23表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33-20.2 ns-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-活跃1 (Unlimited)---Single550mW-P-Channel900m Ω @ 430mA, 4.5V-175pF @ 16V-4.3ns20V19.2 ns-600mA8V-20V----ROHS3 Compliant16 WeeksTin7.994566mgSILICON1V @ 250μA2010e3yes3EAR99900mOhmESD PROTECTION, HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLDDUAL鸥翼260401增强型MOSFET8.5 nsSWITCHING±8V-1V0.6A150°C20 pF1.3mm1.1mm2.9mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDV302P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23 | 对比 |
| FDY100PZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-89, SOT-490 | MOSFET P-CH 20V 350MA SC-89 | 对比 | |
![]() | FDY4001CZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | MOSFET N/P-CH 20V SC89-6 | 对比 |





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