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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.999441
10
¥0.942866
100
¥0.889494
500
¥0.839146
1000
¥0.791649
ON Semiconductor FDY2001PZ
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- 对比
FDY2001PZ
1807-FDY2001PZ
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
SOT-563, SOT-666
大陆
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MOSFET 2P-CH 20V 0.15A SOT-563F
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDY2001PZ详情
ON Semiconductor FDY2001PZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
引脚数
6
供应商器件包装
SOT-563F
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
150mA
Turn Off Delay Time
8 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
446mW
元素配置
Dual
功率耗散
630mW
功率 - 最大
446mW
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
8Ohm @ 150mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
100pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.4nC @ 4.5V
上升时间
13ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
13 ns
连续放电电流(ID)
150mA
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
-20V
输入电容
100pF
场效应管特性
逻辑电平门
漏源电阻
8Ohm
最大rds
8 Ω
RoHS状态
符合RoHS标准
FDY2001PZ拓展信息










哦! 它是空的。