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FDY2001PZ备选型号: FDV302P
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 功率耗散
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 场效应管特性
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 质量
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 通道数量
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- Vgs（最大值）
- 阈值电压
- 双电源电压
- 最大结点温度（Tj）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET 2P-CH 20V 0.15A SOT-563F表面贴装表面贴装SOT-563, SOT-6666SOT-563F150mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C446mWDual630mW446mW2 P-Channel (Dual)8Ohm @ 150mA, 4.5V1.5V @ 250μA100pF @ 10V1.4nC @ 4.5V13ns20V13 ns150mA8V-20V100pF逻辑电平门8Ohm8 Ω符合RoHS标准-------------------------------
MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33-120mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-ACTIVE (Last Updated: 16 hours ago)1 (Unlimited)---Single350mW-P-Channel10 Ω @ 200mA, 4.5V-11pF @ 10V0.31nC @ 4.5V8ns25V8 ns120mA-8V-25V----ROHS3 Compliant10 WeeksTin30mgSILICON1.5V @ 250μA1997e3yes3EAR9913Ohm逻辑电平兼容-25VDUAL鸥翼-120mA1增强型MOSFET5 nsSWITCHING±8V-1V-25V150°C-1 V1.11mm2.92mm1.3mm无SVHC无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDY4001CZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | MOSFET N/P-CH 20V SC89-6 | 对比 |
| FDV302P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23 | 对比 |
 | FDY100PZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SC-89, SOT-490 | MOSFET P-CH 20V 350MA SC-89 | 对比 |
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