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FDY301NZ备选型号: FDY4001CZ
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- 终止次数
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- 电阻
- 端子表面处理
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- 端子位置
- 终端形式
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 场效应管特性
MOSFET N-CH 20V 200MA SC-89ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)8 Weeks表面贴装表面贴装SC-89, SOT-490330mgSILICON200mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR995OhmTin (Sn)ESD PROTECTIONDUALFLATSingle增强型MOSFET625mW6 nsN-ChannelSWITCHING5 Ω @ 200mA, 4.5V1.5V @ 250μA60pF @ 10V1.1nC @ 4.5V8ns±12V8 ns200mA1.5V12V0.2A20V780μm1.7mm980μm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-----
MOSFET N/P-CH 20V SC89-6--表面贴装表面贴装SOT-563, SOT-66689--200mA 150mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®--Obsolete1 (Unlimited)-------Dual-625mW-N and P-Channel-5 Ω @ 200mA, 4.5V1.5V @ 250μA60pF @ 10V1.1nC @ 4.5V13ns-13 ns150mA1V8V--20V---无SVHC-符合RoHS标准无铅200620V446mW200mA逻辑电平门- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDY302NZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SC-89, SOT-490 | MOSFET 20V Sgl N-Ch 2.5V Spec PwrTrench | 对比 |
| FDY4001CZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | MOSFET N/P-CH 20V SC89-6 | 对比 |
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