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首页 全部分类 FDZ191P vs FDC634P

FDZ191P备选型号: FDC634P

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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 元素配置
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 终端
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • ON Semiconductor
    FDZ191P
    ON Semiconductor
    MOSFET -20V P-Channel 1.5V PwrTrh WL-CSP MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    10 Weeks
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    表面贴装
    6-UFBGA, WLCSP
    6
    54mg
    SILICON
    3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2009
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    85MOhm
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    -20V
    BOTTOM
    BALL
    -3A
    Single
    增强型MOSFET
    1.5W
    11 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    85m Ω @ 1A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    800pF @ 10V
    13nC @ 10V
    10ns
    20V
    ±8V
    10 ns
    -3A
    600mV
    8V
    3A
    -20V
    370μm
    1.5mm
    1mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDC634P
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 3.5A SSOT-6
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    36mg
    SILICON
    3.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2001
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    80MOhm
    Tin (Sn)
    -20V
    DUAL
    鸥翼
    -3.5A
    Single
    增强型MOSFET
    1.6W
    10 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    80m Ω @ 3.5A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    779pF @ 10V
    10nC @ 4.5V
    9ns
    20V
    ±8V
    9 ns
    -3.5A
    -800mV
    8V
    -
    -20V
    1mm
    3mm
    1.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SMD/SMT
    -20V
    -800 mV
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